Основной контент книги Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT Theory and Design
Tekst PDF
Objętość 648 stron
Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT Theory and Design
autor
Vinod Khanna Kumar
889,12 zł
O książce
A comprehensive and «state-of-the-art» coverage of the design and fabrication of IGBT. All-in-one resource Explains the fundamentals of MOS and bipolar physics. Covers IGBT operation, device and process design, power modules, and new IGBT structures.
Gatunki i tagi
Zaloguj się, aby ocenić książkę i dodać recenzję
Książka «Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT Theory and Design» — czytaj online na stronie. Zostaw komentarze i recenzje, głosuj na ulubione.
Ograniczenie wiekowe:
0+Data wydania na Litres:
20 sierpnia 2019Objętość:
648 str. ISBN:
9780471660996Całkowity rozmiar:
33 МБCałkowita liczba stron:
648Właściciel praw:
John Wiley & Sons Limited
