Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT Theory and Design
PDFOznacz jako przeczytane
- Rozmiar: 648 str.
- Kategoria: literatura techniczna, elektronikaEdytuj
Opis książki
A comprehensive and «state-of-the-art» coverage of the design and fabrication of IGBT. All-in-one resource Explains the fundamentals of MOS and bipolar physics. Covers IGBT operation, device and process design, power modules, and new IGBT structures.
Szczegółowe informacje
- Ograniczenie wiekowe:
- 0+
- Data dodania do LitRes:
- 20 sierpnia 2019
- Rozmiar:
- 648 str.
- ISBN:
- 9780471660996
- Całkowity rozmiar:
- 32 MB
- Całkowity liczba stron:
- 648
- Rozmiar stron:
145 x 231 мм
- Prawa autorskie:
- John Wiley & Sons Limited
"Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT Theory and Design" — przeczytaj darmowy fragment online. Zamieszczaj komentarze, recenzje i głosuj na swoje ulubione.
Оставьте отзыв
Отзывы