Czytaj książkę: «Все науки. №12, 2023. Международный научный журнал»

Ибратжон Хатамович Алиев, Юсубжон Таджибаевич Додобаев, С.М. Отажонов, К Abdulvakhidov, N. YunusovШ. АбдуллаевН.Э. АлимовК. Ботиров.Иномжон Ўктамович БилоловШаробиддин Махаммадюсуфович ИсроиловДилнозахон Шухратжоновна МавлоноваНилуфархон Жаҳонгировна ХолматоваSevinch Sherbekovna Qo’ldashevaSohibaxon G’anievaБахром Номанжанов i inni

Czcionka:

Авторы: Алиев Ибратжон Хатамович, Отажонов С.М., Abdulvakhidov К, Yunusov N., Абдуллаев Ш., Алимов Н.Э., Ботиров. К., Билолов Иномжон Ўктамович, Исроилов Шаробиддин Махаммадюсуфович, Мавлонова Дилнозахон Шухратжоновна, Холматова Нилуфархон Жаҳонгировна, Qo’ldasheva Sevinch Sherbekovna, G’anieva Sohibaxon, Номанжанов Бахром, Додобаев Юсубжон Таджибаевич

Главный редактор Ибратжон Хатаиович Алиев

Редактор Миродилжон Хомуджонович Баратов

Иллюстратор Раънохон Мукарамовна Алиева

Экономические руководитель Ботирали Рустамович Жалолов

И.О. Наусного руководителя Султонали Мукарамович Абдурахмонов

Дизайнер обложки Ибратжон Хатамович Алиев

Дизайнер обложки Фарходжон Анваржонович Иброхимов

Корректор Дилноза Орзикуловна Норбоева

Модератор Фарходжон Анваржонович Иброхимов

ISBN 978-5-0065-0304-5 (т. 12)

ISBN 978-5-0056-4671-2

Создано в интеллектуальной издательской системе Ridero

Уважаемые жители всей планеты!

Наступает новый 2024 год!

Мы, организация OOO «Electron Laboratory», её Администрация-Президиум, Учёный совет, Научно-исследовательский центр, Научно-популяризирующий центр, Научная школа «Электрон», Публикационный центр Научной школы «Электрон», Публикационный центр международного научного журнала «Все науки», Редакционная коллегия международного журнала «Все науки», все отделения Научной школы «Электрон» по направлениям исследований, Научно-проектирующий центр, Отдел инвестиций и экономики, каждый член нашей расширяющейся команды, от всего сердца поздравляем каждого жителя нашей Земли, каждый народ, каждое государство, каждого гражданина и представителя государства, людей всех возрастов, от мала до велика с Новым 2024 годом. Желаем всем Вам всего самого наилучшего, что только можно пожелать!

В 2023 году развитие нашей Организации и её отделений, активно продолжалось, созданы новые подразделения, с деятельностью коих вы также могли ознакомиться. Организовано 12 научных, технических и промышленных проектов, среди коих – Проект «Электрон», Проект «МикГЭС-ТТ-150», Проект «Научно-исследовательской лаборатории при МикГЭС-ТТ-150», Проект «Научно-исследовательской лаборатории „Физики резонансных ядерных реакций“», Проект «Научно-исследовательского института „Физики резонансных ядерных реакций“ при Организации», Проект «Конструктор миров», Проект «Властелин наук», Проект «Новая Вселенная», Проект «Лазер», Проект «Научно-популяризирующего центра Научной школы „Электрон“», Проект «Скоростного развития международного научного журнала „Все науки“», каждая из которых находятся на стадии активной реализации.

После организации активного действия на YouTube-канале Общества «Новая Вселенная» за последний год опубликовано 136 видео, из которых 58 больших видео и 78 shorts-видео. К тому же установлены показатели более чем 450 подписчиков, более чем 440 часов-просмотров и в сумме более 88,2 тысяч просмотров.

Деятельность международного научного журнала «Все науки», который активно издаётся по сей день ежемесячно в сотрудничестве с издательской системой «Ridero», ныне индексируется в системе РИНЦ, опубликовано всего 20 номеров журнала на русском и английском языках, включающие в себя 295 научные и научно-популярные статьи на одном языке, а в сумме 590 научных и научно-популярных статей на самых различных языках мира по всем направлениям и сферам человеческого познания. Начиная с августа 2021 года по сей день опубликовано 74 книги со стороны нашей организации и её отделений, кроме них 11 находятся в процессе публикации, а 7 находятся в процессе активного написания.

Среди опубликованных – 11 томов романа-эпопеи «Конструктор миров»; два однотомных романа; один сборник стихов; два сборника эссе; 14 монографий в самых различных сферах науки и техники; один сборник рассказов; один учебник; 6 учебных пособий; специальный выпуск на двух языках информационного журнала «Мышление и творчество».

За последний год, количество членов учёного совета возросло с 37 до 49 человек, но, к сожалению, этот рост прошёл не без трагичных потерь. Так, сегодня в состав нашего учёного совета входит 1 академик, 1 старший научный сотрудник, 13 докторов наук и профессоров, 28 кандидатов наук и доцентов, 6 почётных членов и представителей администрации. Налажены и сохраняются тесные взаимоотношения с многими ведущими в своих сферах организациями, среди которых Малазийская компания Clipper Energy SND. BHD., Китайская компания Chengdu Forster Technology Co., Ltd., Сорбонский университет, Университет Небраски в Линкольне, Объединённый институт ядерных исследований, Чеченский государственный университет им. А. А. Кадырова, Ингушский государственный университет, Издательская система «Ridero» (ООО «Издательские решения»), Национальный центр ISSN, Кабинет министров Республики Узбекистан, Министерство высшего образования, науки и инновации Республики Узбекистан, Хокимият Ферганской области, Хокимият города Ферганы, Хокимият города Маргилана, Хакимият Багдадского района, Акционерное общество Ферганского предприятия территориальных электросетей Ферганской области и города Фергана, Академия Наук Республики Узбекистан, Высшая аттестационная комиссия при Министерстве высшего образования, науки и инновации Республики Узбекистан, Национальный Университет Узбекистана имени Мирзо Улугбека, Институт Ядерной Физики при Академии Наук Узбекистана, Научно-исследовательский институт «Физики полупроводников и микроэлектроники» при Национальном Университете Узбекистана, Ташкентский Государственный Технический Университет имени Ислама Каримова, Ферганский государственный университет, Ферганский политехнический институт, Ферганский филиал Ташкентского Университета Информационных Технологий, Акционерное общество «ТЭС», «Чилонзор» МФЙ, «Юлдуз» МФЙ, «Зафаробод» МФЙ и другими.

Подводя итоги, можно с гордостью заметить, что поставленные в 2022 году цели на уходящий год успешно достигнуты и мы надеемся достигать ещё более грандиозных результатов в будущем. И пользуясь этим моментом, в это прекрасное предновогоднее время, мы приносим искренние благодарности всем нашим коллегам, товарищам, друзьям, представителям нашей и других организаций, почтеннейшим зрителям и читателям, подписчикам и всем тем, кто принимал участие в достижении этих грандиозных результатов.

В новом 2024 году планируется произвести 12 реализуемых научных, технических и промышленных проектов, а также создать 4 дополнительных проекта, опубликовать 12 последующий номеров международного научного журнала «Все науки» на русском и английском языке и произвести их индексацию в РИНЦ, включающие в себя не менее 200 научных статей, создать специальный сайт Общества, каждого отделения, международного научного журнала, также планируется издать 2 учебника, 3 учебных пособия, 6 монографий, 3 дополнительных однотомных романов, 2 сборника рассказов, 7 томов-продолжений романа-эпопеи «Конструктор миров», не менее 10 научных статей в журналах, индексируемые в Scopus и Web of Sciences, на YouTube-канале выпустить около 60 больших видеороликов и не менее 330 видео в формате shorts на самые различные научные и научно-популярные темы. Планируется привлечь в состав учёного совета иностранных членов учёного сообщества, а также расширить круг организаций-партнёров Организации. В результате, открывая совершенно новые возможности.

Дорогие друзья, уважаемые жители нашей планеты, в этот предновогодний час, в эти сказочные мгновения, ещё раз искренне поздравляю Вас с новым 2024 годом. Пусть в Новом 2024 году в каждой семье, в каждом государстве, в каждой точке нашего мира будет царить мир, счастье и благополучие, пусть сбудутся все самые добрые мечты и оправдаются самые светлые надежды, пусть во всём мире процветает наука!

С Новым 2024 годом, Дорогие жители всей нашей планеты!

Electron Laboratory LLC
2023 год

ФИЗИКО-МАТЕМАТИЧЕСКИЕ НАУКИ

МЕХАНИЗМ ИЗМЕНЕНИЯ СВОЙСТВ Cu_2-xTe-CdTe СОЛНЕЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ ПОД ДЕЙСТВИЕМ ТЕРМООБРАБОТКИ

УДК: 531/534

С.М.Отажонов
Профессор, доктор физика-математические наук

Ферганский государственный университет

Аннотация. В данной работе рассмотрено механизм изменения свойств Cu_2-xTe-CdTe солнечных элементов под действием термообработки. Установлено, что атомы меди из раствора CuCi в процессе создания гетероперехода химическим способом проникают в базовой слой CdTe по границам зерен через слой Cu_2-xTe. В процессе термообработки шунтирующие р-п-перехода атомы меди проникают в глубь базового слоя, образовав компенсирующие акценторные уровни в CdTe.

Ключевые слова: термообработка, гетеропереход, атомы меди, объёмная заряд, туннелирования носителей заряда.

Abstract. In this paper, the mechanism of Cu_2-xTe-CdTe solar cells properties change under the action of heat treatment is considered.It is found that copper atoms from CuCi solution during the process of heterojunction creation chemically penetrate into the CdTe base layer along the grain boundaries through the Cu_2-xTe layer. During the heat treatment process, the p-p junction shunting Cu atoms penetrate deep into the base layer to form compensating accentor levels in CdTe.

Keywords: heat treatment, heterojunction, copper atoms, volume charge, charge carrier tunneling.

Получено термическим испарением и химическим способом гетероструктуры на основы Cu_2-xTe-CdTe. Сразу же после получения гетероперехода базовый слой n-CdTe ещё недостаточно конденсирован медью, чем обусловлено узкая область объёмного заряда. Кроме того известно, что атомы меди из раствора CuCi в процессе создания гетероперехода химическим способом проникают в базовой слой CdTe по границам зерен через слой Cu_2-xTe. При внезапном прекращена химической реакции некоторая часть атомов меди, не связанных с CdTe, остаётся на границе раздела гетероперехода. Эти атомы меди образуют на границе раздела шунтирующие каналы. Узкая область объёмная заряда и наличия шунтирующих каналов на границе раздела дают возможность туннелирования носителей заряда через эти каналы. Туннельные токи через шунтирующие каналы на границе раздела уменьшают эффективную высоту потенциального барьера и тем самым-значение напряжения холостого хода. Образцы из партии С и К характеризуются меньшими размерами кристаллитов по сравнению с образцами из партии П. поскольку, как уже отмечались выше, атомы меди проникают в базовой слой CdTe по границам кристаллитов, то, очевидно, что плотность свободных (не связанных с CdTe) атомы меди (шунтирующих р-п-переход) в образцах из партии С и К выше, чем в образцах из партии П. В свете вышеизложенного становятся ясными низкие исходные значения параметров элементов партии С и К сразу же после их получения.

Рис. 1 Прямые ветви ВАХ Cu_2-xTe-CdTe солнечных элементов до (а) и после (б) ТО

Рис.2 Обратные ветви ВАХ Cu_2-xTe-CdTe солнечных элементов до (а) и после (б) ТО

В процессе термообработки шунтирующие р-п-перехода атомы меди проникают в глубь базового слоя, образовав компенсирующие акценторные уровни в CdTe. Образования акцепторные уровней приводит к расширению области объёмного заряда [1—56].

Таким образом, при термообработке происходит, с одной стороны, уменьшение плотности граничных состояний и, с другой стороны, расширение области объёмного заряда. Оба этих взаимосвязанных процесса уменьшают вероятность туннелирования носителей заряда на границе раздела и тем самым увеличивают эффективную высоту потенциального барьера. Следовательно, происходит возрастания напряжения холостого хода. Об уменьшением плотности шунтирующих каналов также свидетельствует уменьшение значения обратного тока насыщение поле ТО. Уменьшение плотности шунтирующих каналов также свидетельствует уменьшении значения обратного тока насыщения поле ТО. Уменьшение плотности граничных состояний увеличивает значение шунтирующего сопротивления р-п-перехода. Известно, что увеличения шунтирующего сопротивлениям способствует росту коэффициента заполнения нагрузочной характеристики. При длительной термообработке параметры образцов уменьшается особенно ярко это выражено в уменьшении. В свете развитых представлений уменьшение при длительной термообработке можно объяснит двумя причинами.

Рис. 3 Нагрузочные характеристики Cu_2-xTe-CdTe солнечных элементов до (а) и после (б) ТО

Поскольку термообработки образцов происходит на воздухе, поверхность их не герметизирована, то возможно образования на поверхности теллурида меди окисного слоя, например, аналогично тому, что наблюдается в элементах типа Cu_2-S-Cd Se. Так как окись меди – является более широкозонным материалом, то возможно уменьшение поверхностной рекомбинации, которое приводит к росту значения фототока.

Заключения

Во-первых, медь может диффундироваться в слой CdTe как из медных закороток, так и из слоя теллурида меди, изменяя при этом стехиометрии слоя теллурида меди. При изменения состава Cu_2-xTe заменяется и параметры решёток. Несоответствии параметров кристаллической решётки Cu_2-xTe и CdTe является причиной возникновения механических напряжений на границе раздела р-п-перехода. Под влиянием механических напряжений на границе раздела происходит обрыв связей между Cu_2-xTe и CdTe, что приводит к возникновению энергетических уровней в запрошенной зоне. Следовательно, уменьшается выходные параметры фотоэлемента. Во-вторых, при длительной термообработке происходит глубокие проникновение атомов меди в CdTe и, следовательно, чрезмерное расширение области объёмного заряда.

С расширением области объёмного заряда уменьшается напряжённость электрического поля р-п-перехода. В свою очередь уменьшение напряженности электрического поля приводит к уменьшению коэффициента собирания и тока короткого замыкания согласно выражению:

где S – скорость поверхностной рекомбинации на границе раздела, µ_n – подвижность электронов, Е-напряжённость электрического поля р-п-перехода.

Использованные литературы

1. L. Leontie, V. Nedeff, I. Evtodiev, M Stamate. Photoelectric properties of Bi2O3/GaSe heterojunctions. February 2009Applied Physics Letters 94 (7):071903-071903-3. DOI:10.1063/1.3035854

2. V. N. Katerynchuk, Z. D. Kovalyuk, Z. Kudrynskyi. Photoelectric properties of n-ITO/p-GaTe heterojunctions. May 2015Semiconductors 49 (5):600—603. DOI:10.1134/S1063782615050085

3. SM Otajonov, RN Ergashev, T Axmedov, Ya Usmonov, B Karimov. Photoelectric properties of solar cells based on pCdTe-nCdS and pCdTe-nCdSe heterostructures. Journal of Physics: Conference Series. 2022/12/1. https://iopscience.iop.org/article/10.1088/1742-6596/2388/1/012062/meta

4. SM Otazhonov, RN Ergashev, KA Botirov, BA Qaxxorova, MA Xudoynazarova, NA Abdukarimova. Influence of thickness and temperature on photoelectric properties of p-CdTe-nCdS and pCdTe-CdSe heterostructures. Journal of Physics: Conference Series. (2022, December). https://iopscience.iop.org/article/10.1088/1742-6596/2388/1/012001

5. I. Karimov S.M. Otajonov, R.N. Ergashev. Electrophysical and surface active properties of p-CdTe-nCDS and pCdTe-CdSe heterostructures with deep impurity levels. Modern trends in the development of semiconductor physics: achievements, problems and prospects. © Research Institute of FPM, 2022.

6. R.N. Ergashev, M.M. Bakhramov. Transparent conductive Sn based. Horizon: Journal of Humanity and Artificial Intelligence. 2023/5/31. http://univerpubl.com/index.php/horizon/article/view/1882

7. T Akhmedov, SM Otajonov, Y Usmonov, MM Khalilov, N Yunusov,.Optical properties of polycrystalline films of lead telluride with distributed stichiometry// Journal of Physics: Conference Series 1889 (2), 022052; 50; 2021

8. SM Otazhonov, KA Botirov, MM Khalilov, N Yunusov // IN PHOTOSENSITIVE THIN FILMS CdTe: Ag AND PbTe // Science and World International scientific journal 6 (94), 11—16;

9. СМ Отажонов, МХ Рахмонкулов, ПИ Мовлонов, Н Юнусов // Влияние термообработки на фотоэлектрические свойства гетероструктуры Cu2-xTe-CdTe// Science 89, 19; 23; 2021

10. SM Otazhonov, N Yunusov, B Qakhkhorova // Deformation characteristics of PbTe-Te Polycrystalline films //Science and world 103, 22; 26; 2022

11. А. Абдулхамидов, Н. Э. Алимов Спектральная память низкоразмерных p-CdTe с глубокими примесными уровнями.; Тринадцатая международная конференция «ФИЗИКА ДИЭЛЕКТРИКОВ» (Диэлектрики – 2014)Санкт-Петербург,2—6 июня 2014

12. N.Alimov D. Ismoilova Role of deep impurity levels in film heterostructures p – CdTe—ZnSe.; IUPAC 11^th International Conference on Novel Materials and Synthesis (NMS – XI) 24 International Symosium oh Fine Chemistry and Functional Polymers (FCFP – XXIII) 11 – 16 oktober, 2015 Qinhuangdao, China;

13. С. М. Зайнолобиддинова, Н. Э. Алимов, М. М. Халилов, Д. А. Юсупова, Ш. Якубова Изменение потенциальных барьеров низкоразмерных тонких пленок p-CdTe в условиях внешних воздействий; Журнал физики и инженерии поверхности Харьков 2016 том 1, №1, стр. 52—56;;

14. К. Ботиров, П. Мовлонов, Н. Э. Алимов, М. М. Халилов, О. Эргашев, Ш. Якубова Изучение деформационных эффектов в нанокристаллических фоточувствительных активированных тонких пленках p-CdTe; Журнал физики и инженерии поверхности Харьков 2016 том 2, №2, стр. 140 – 144;;

15. Н. Жураев М. Халилов Н. Э. Алимов, Фоточуствительность и механизм протекания тока в гетероструктурах p – CdTe – SiO₂ – Si с глубокими примесными уровнями; Журнал физики и инженерии поверхности Харьков 2017 том 2, №1, стр. 26 —29;

16. Aлимов H Жураев Н Мовлонов П Халилов М Элементы памяти с управляемым временем запоминания и спектральной фоточувствительности; Патент№ IAP 20170249 Агенства по интеллектуальной собственности РУз 26 декабря 2017 Расмий Ахборотнома Тошкент-2018, 12 (212);

17. Юлдашалиев Д Каримов Б Ахматжонов Р Малооборотный генаратор тока; Полезный модел № FAP 20170037 АГЕНСТВА ИНТЕЛЛКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ РУЗ 10 АВГУСТА 2017;

18. Aлимов H Fotosensitivity of nanocrystalline cdte and polyrystalline silicon based structures; 81Th International conf Polymers and Organic Materials for Elektronics Praga Chehiua 10—14 September 2017;

19. Aлимов H Study of polycrystalline CdTe films by contact and contactless pulsed photo-ionization spectroscopy; Journal Thin Solid Films 660 June 2018 pp.231—235,США IF 2,03 DOI: 10.1016/j. tst.2018.06.016 Scopus;

20. О Aлимов H птическая спектральная память в пленочной ультракристаллической гетероструктуре p-CdTe-SiO2-Si; Научно-Технический журнал ФерПИ 2018 Том 22. №2 стр. 113—116;

21. Aлимов H Ботиров Қ //Особенности физических свойств модифицированной поверхности пленочной структуры p-CdTe-ZnSe с глубокими примесными уровнями; Международная конференция «ФОТОНИКА-2017» 11—15 сентября 2017, Новосибирск, Россия;

22. Алимов Н //Фотопроводимость в ультракристаллических гетероструктурах CdTe-SiO-Si; Международная конференция «ФОТОНИКА-2018» 11—15 сентября 2018, Новосибирск, Россия;

23. Meskauskaite D Gaubas E Алимов Н // Comparative aralysis of Gan and CdTe thin films for radiation detectors.; I6 th Inter.conf on Radiation and Applications on various Fields of research. Ohrid.2018 18—22 iyun Makedonia;

24. М. Халилов Ботиров К // Стабилизация тензочувствительности поликриссталлических пленок РвS под действием лазерного отжига; Science and World International scientific journal №8 (84) август 2020 ISSN 2308—4804. IF 0,325 стр 11—16

25. Алимов Н, Ботиров К, Раззоков Б, Юнусов Н // И Исследование электрических и фотоэлектрических свойств фотопреобразователей на основе гетероперехода Cu Te – CdTe; Международной научно-практической конференции CHALLENGES IN SCIENCE JF NOWADAYS 26—28 ноября 2020 г. г. ВАШИНГТОН, США;

26. Юнусов Н, Мовлонов П, Рахмонқулов М // Effect of heat treatment on the photovoltaic properties of the si 2-te-cdte heterostructure; Science and World International scientific journal №1 (89) январь 2021 ISSN 2308—4804. IF 0,325 Page 22—27;

27. Ботиров К Мовлонов П, Алимов Н //CdTe-SiO2-Si-Al hetestructure photosensitivity control with deep impurity levels under external factors.; Euroasian Journal of Semiconductors Science and Engineering Volime2, ISSUE5 5, 2020. p 22—25 https://uz journals.edu.uz/ semiconductors/vol /2issue/5;

28. Akhmedov T, Usmonov Ya, Ботиров Қ, Khalilov M, Yunusov N, Влияние внутреннего напряжения на деформационные характеристики поликристаллических плёнок РbTe с избытком теллура и свинца; Science and World International scientific journal №3 (91) март 2021ISSN2308—4804IF0,325 Page 18—22 http://scienceph.ru/f/science_and_world_no_3_91_march.pdf

29. Рахмонқулов М, Халилов М, Ботиров Қ, Юнусов Н // Effect of group VII elements on strain sensitivity of polycrystalline films PBTE, PBS; European Science Review 2021 №1—2/ January-February/ Vienna https://doi.org/10.29013/ESR-21-1.2-35-38;

30. Ахмедов Т, Усмонов Я, Халилов М, Юнусов Н. // Optical properties of polycrystalline films of lead telluride with distributed stichiometry; Journal of Physics Conference Series/ 1889 (2021) 022052 doi:10.1088/1742—6596/1889/2/022052 Scopus;

31. Вайткус Ю. Ю., Халилов М. М., Юнусов Н. // Влияние Избытка Теллура И Свинца На Деформационные Характеристики Поликристаллических Пленок PbTe; Scientific Bulletin, Physical and Mathematical Research Vol.3 Iss.2021 УДК: 621.315.592

32. Ботиров Қ, Халилов М. М., Юнусов Н // Bлияние деформации на миграцию дефектов в фоточувствительных тонких пленках CdTe: Ag И PbTe Science and World International scientific journal №6 (94) июн 2021 ISSN 2308—4804. IF 0,325 Page 11—16;

33. Максудов Р, Ахмедов М, Шухратов Ш, Хожикаримова Г. // Инновацион таьлимда дарс шакли, методи ва воситаларини танлаш; Ўқув қўлланма 2021 ФарДу УК N7.30 март 2021; 146

34. Максудов Р, Шухратов Ш, Рахмонқулов М. // Материалшунослик ва конструкцион материаллар технологияси; Ўқув қўлланма ФарДу УК N7.30 март 2021; 210

35. Далиев Х. Онорқулов М // Device for stud device for studying tenze sensi ying tenze sensitivity in pho y in photosensitive semiconductor films; Euroasian Journal of Semiconductors Science and Engineering//vol3. 2021.31—35

36. T. Akhmedov, N. Yunusov .M.Khalilov // Effective dielectric permeability and electrical conductivity of polycrystalline PbTe films with disturben stoichiometry.; Journal of Physics Conference Series/ (2131) 2021 doi:10.1088/1742-6596/2131/5/052008.Scopus;

37. T. Akhmedov, Usmonov Ya.,Khalilov M.M., Mamajonov U.M // Влияние термообработки на электрофизические свойства поликристаллических пленок теллурида свинца; Science and world.2022.№1 (101) Стр 12—17);

38. Akhmedov T., Usmonov Ya., Khalilov M.M., Botirov K.A. EFFECTS OF UNIAXIAL DEFORMATION ON THE CARRIER; Science and world. 2022. №2 (102) Стр 12—15

39. Yuldashaliev. D., Otazhonov S.M., Usmonov Ya., Akhmedov T.A., Karimov B.X// TECHNOLOGY FOR THE PRODUCTION AND RESEARCH OF HOLE; Science and world. 2022. №2 (102) Стр 15—20

40. Mirzazhonov M.A., Movlonov P.I., Otazhonov S.M // IMPROVING THE EFFICIENCY OF SOLAR CELLS BASED ON CU2-XS-CDS WITH DEEP IMPURITY LEVELS; Science and world. 2022. №3 (103) Стр 12—14

41. Onarkulov K.E., Rakhmankulov M.Kh., Omonov B.U RADIATION-STIMULATED OXYGEN DIFFUSION IN LEAD CHALCOGENIDE LAYERS.; Science and world. 2022. №3 (103) Стр 14—18

42. Khalilov M.M., Mamadzhanov U.// TECHNOLOGY FOR PRODUCING LEAD TELLURIDE FILMS OF VARIABLE COMPOSITION; Science and world. 2022. №3 (103) Стр 18—23

43. Yunusov N., Qakhkhorova B.// DEFORMATION CHARACTERISTICS OF PbTe-Te POLYCRYSTALLINE FILMS; Science and world. 2022. №3 (103) Стр 23—27

44. Мовлонов П. Юнусов Н. // STUDY OF THE PROCESS OF PHOTOFATIGUE AND CURRENT-VOLTAGE CHARACTERISTICS OF SOLAR CELLS BASED ON СU2-X S-CDS; Science and world. 2022. №5 (105) Стр 13—17

45. Мовлонов П. Юнусов Н. Мамажонов У. М.// РАЗРАБОТКА ТЕХНОЛОГИЯ ПОЛУЧЕНИЯ НИЗКООМНЫХ БАЗОВЫХ СЛОЁВ А2В6 МЕТОДОМ ТЕРМОВАКУУМНОЙ КОНДЕНСАЦИИ И ХИМИЧЕСКИМ ОСАЖДЕНИЕМ; UNIVERSUM: Технический наук2022. 3 (96). URL: Выпуск:3 (96) Часть 6 5—10

46. Ergashev R., Yunusov N // STUDY OF THE SURFACE RECOMBINATION OF HETEROJUNCTIONS BASED ON p CdTe – n CdS AND p CdTe – n CdSe; Science and world. 2022. №9 (109) Стр 26—30

47. Xalilov M Axmedov T // ИССЛЕДОВАНИЕ ЧАСТОТНОЙ ЗАВИСИМОСТИ СОПРОТИВЛЕНИЯ ПЛЕНОК PbTe; Science and world. 2022. №10 (110)

48. Шухратов Ш Рахмонкулов М // Механизациялаштитириш, автоматлаштириш ва робототехника асослари; ОЎМТМ, Мувофиқлаштириш Кенгаши 2022 йил 13 май №166 5112100 Технологик таълим; 166

49. Шухратов Ш, Ахмедов М, Хожикаримова Г // Инновацион таълимда дарс шакли, методи ва воситаларни таъминлаш; ОЎМТМ, Мувофиқлаштириш Кенгаши 2022 йил 13 май №166 5112100 Технологик таълим; 156

50. Alimov N,// Фотоэлектрические явления в широкозонных полупроводниковых гетероструктурах с глубокими примесными уровнениями; Монография ФарДу илмий Кенгаш тавсиясига биноан 2022 йил 14 октябр Издательские решения По лицензии Ridero 2022; 110

51. Ergashev R, Botirov Q, Qaxxorova B, Xudoynazarova M, Abdukarimova N, Madaminova M, Ismoilova K, // Influence of thickness and temperature on photoelectric properties of p-CdTe-nCdS and pCdTe-CdSe heterostructures.; Journal of Physics: Conference Series 2388 (2022) 012001/doi:10.1088/1742—6596/2388/1/012001

52. Kamaludin Abdulvakhido· Zhengyou Li · Bashir Abdulvakhidov · Alexander Soldatov Structure phase state and physical properties of YbMn1-xFexO3 compositions; Applied Physics A (2023) 129:185 https://doi.org/10.1007/s00339-023-06469-506469-5

53. R N Ergashev, T Axmedov, Ya Usmonov and B Karimov // Photoelectric properties of solar cells based on pCdTe-nCdS and pCdTe-nCdSe heterostructures; APITECH-IV – 2022 Journal of Physics: Conference Series 2388 (2022) 012062 IOP Publishing doi:10.1088/1742—6596/2388/1/012062;

54. N E Alimov1, J V Vaitkus, and K Botirov // Investigation of the surface recombination rate in polycrystalline films from the A6B 6 compound by the MW-PC method; APITECH-IV – 2022 Journal of Physics: Conference Series 2388 (2022) 012006 IOP Publishing doi:10.1088/1742—6596/2388/1/012006 1;

55. Эргашев Р. Н., K. Ботиров // Bлияние температуры и давления на электрофизические свойства гетероструктуры pcdte-ncds и pcdte-ncdse с глубокими примесными уровнями//SCIENCE AND WORLD International scientific journal, №8 (120), 2023

56. Эргашев Р. Н., K. Ботиров // Фотоэлектрические явления в гетероструктурах на основе pcdte – ncds и pcdte – ncdse с глубокими примесными уровнями; SCIENCE AND WORLD International scientific journal, №9 2023