Исследование характеристик полупроводниковых приборов

Изложены сведения, необходимые для исследования характеристик и параметров выпрямительных полупроводниковых диодов, стабилитронов, туннельных диодов, биполярных транзисторов и полевых транзисторов с управляющим p-n-переходом. Рассмотрены принципы работы этих приборов, даны их основные статические характеристики и параметры. Для студентов МГТУ им. Н.Э. Баумана, обучающихся по специальностям «Радиоэлектронные системы и комплексы» и «Конструирование и технология радиоэлектронных средств».